随着集成电路IC芯片产业进入“后摩尔时代”，提升集成电路芯片性能的难度和成本越来越高，迫切需要新的技术方案。
据安芯网介绍，集成光电技术，特别是以硅光技术和薄膜铌酸锂光子技术为代表的技术，成为应对这一挑战的颠覆性解决方案。铌酸锂被誉为“光学硅”，近年来备受关注，甚至在国外有哈佛大学等研究机构提出仿效“硅谷”模式建设“铌酸锂谷”的方案。
最近IC电子交易平台，中国科学院上海微系统与信息技术研究所的科研团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片领域取得了突破性进展，成功开发出可批量制造的新型“光学硅”芯片。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所的科研团队与合作伙伴最近取得了突破性进展，他们的研究证明单晶钽酸锂薄膜具有优异的电光转换特性，相较于铌酸锂，在双折射、透明窗口范围、抗光折变以及频率梳产生等方面表现出更多优势。此外，与绝缘体上的硅（SOI）相比，硅基钽酸锂异质晶圆（LTOI）的制备工艺更为接近，因此钽酸锂薄膜的低成本和规模化制造具有极高的应用价值。
通过IC交易平台采用基于“万能离子刀”的异质集成技术，该团队成功制备了高质量的硅基钽酸锂单晶薄膜异质晶圆。与此同时，他们还联合开发了超低损耗钽酸锂光子器件微纳加工方法，并结合晶圆级流片工艺，成功制备了钽酸锂光子芯片。
深圳IC交易网介绍，钽酸锂光子芯片不仅表现出与铌酸锂薄膜相当的电光调制效率，而且在X切型电光平台中首次成功产生了孤子光学频率梳。基于其电光可调谐性质，这一技术有望在激光雷达、精密测量等领域实现广泛应用。
据安芯科创介绍，研究团队已攻克了8英寸晶圆制备技术，为更大规模的国产光电集成芯片和移动终端射频滤波器芯片的发展奠定了核心材料基础。
钽酸锂光子芯片具有极低的光学损耗、高效的电光转换和孤子频率梳产生等特性，有望为突破通信领域速度、功耗、频率和带宽四大瓶颈问题提供解决方案。此外，这项技术还有望在低温量子、光计算、光通信等领域催生革命性的技术进步。